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芯片上“長”出原子級薄晶體管-動態(tài)焦點(diǎn)
發(fā)布時(shí)間:2023-05-04 07:29:20 文章來源:云掌財(cái)經(jīng)
美國麻省理工學(xué)院一個跨學(xué)科團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種低溫生長工藝,可直接在硅芯片上有效且高效地“生長”二維(2D)


(資料圖)

美國麻省理工學(xué)院一個跨學(xué)科團(tuán)隊(duì)開發(fā)出一種低溫生長工藝,可直接在硅芯片上有效且高效地“生長”二維(2D)過渡金屬二硫化物(TMD)材料層,以實(shí)現(xiàn)更密集的集成。這項(xiàng)技術(shù)可能會讓芯片密度更高、功能更強(qiáng)大。相關(guān)論文發(fā)表在最新一期《自然·納米技術(shù)》雜志上。這項(xiàng)技術(shù)繞過了之前與高溫和材料傳輸缺陷相關(guān)的問題,縮短了生長時(shí)間,并允許在較大的8英寸晶圓上形成均勻的層,這使其成為商業(yè)應(yīng)用的理想選擇。

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